ذاكرة STT-MRAM الأسرع كتابة في العالم

ما الذي يمكنك فعله خلال 14 نانو ثانية؟ حسناً، هذه الذاكرة لديها الكثير لتقوم به.

طوَّر فريق بحث في جامعة توهوكو اليابانية ذاكرةً جديدة (STT-MRAM: spin-transfer torque magnetoresistive random access memory) بكثافة 128 ميغا-بت، وبسرعة كتابة 14 نانوثانية (0.000000014 ثانية)؛ وذلك لاستخدامها في التطبيقات التي تحوي ذواكر مدمجة كالذكاء الاصطناعي وإنترنت الأشياء. تحمل هذه الذاكرة الآن رقماً قياسياً بوصفه أسرع ذاكرة كتابة في العالم بكثافة أعلى من 100 ميغا-بت.

ذاكرة STT-MRAM لها القدرة على العمل بسرعة عالية، وتستهلك مقداراً بسيطاً جداً من الطاقة لكونها تحفظ البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي عنها.

تتراوح السعة الحالية لـ STT-MRAM بين 8Mb-40Mb. ولكن لجعل STT-MRAM أكثر عملية، فمن الضروري زيادة كثافة الذاكرة؛ لذا أجرى فريق مركز الأنظمة الإلكترونية المتكاملة المبتكرة (CIES) زيادةً في كثافة ذاكرة STT-MRAM عن طريق تطوير STT-MRAMs، إذ ضُمِّنَت وصلات النفق المغناطيسي (MTJs) -الذي يخزن البيانات- مع بنية CMOS -التي تُبنى عن طريقها الدارات الإلكترونية- ممَّا سيقلل استهلاك طاقة الذاكرة المدمجة على نحوٍ كبير، وذلك على عكس ذاكرة التخزين المؤقتة وذاكرة eFlash.

المصادر: 

1- هنا